GaN FET提供了低RDS（開啟）和快速切換，以及低VF和低QRR，Avnet公司Farnell說。它們也被粗糙，並提供穩定的切換，帶有堅固的閘門反彈免疫力，使它們適用於電動車輛（EVS），5G設備和物聯網設備中的減少功耗應用。
經銷商表示，隨著FETS提供密度和高效的電力使用，該範圍的引入是在較小的形狀因素中提供密度和有效的功率使用，並幫助工程師符合立法，並且隨著行業移動到高效電力轉換和增加的電氣化，減少二氧化碳排放的日益增長。
GaN技術克服了電力轉換的技術的限制，如矽基IGBTS和SIC。Farnell說。在EVS中，GaN可以減少可能影響車輛範圍的功率損耗。提高功率轉換效率也降低了冷卻系統來消散產生的熱量，從而降低車輛的重量和系統複雜性，受益範圍或允許與較小電池相同的範圍。還有應用程序，指出Farnell，在數據中心，電信基礎設施和工業應用中的電力GaN FET。
Farnell於2020年9月16日在2PM BST上舉辦了一輛免費的網絡研討會。該網絡研討會將概述Nexperia的Cascode技術，硬和軟切換拓撲的好處，包括4kW Totem Polar PFC案例研究。