Gan FET forniscono bassi rds (on) e commutazione rapida, insieme a VF basso e basso QRR, afferma Farnell, una società Avnet. Sono anche robusti e offrono commutazione stabile con un'immunità robusta del rimbalzo del cancello, rendendole adatta per ridotte applicazioni di perdita di potenza in veicoli elettrici (EVS), apparecchiature 5G e dispositivi IOT.
Il distributore afferma che l'introduzione dell'intervallo è tempestiva poiché i FET forniscono la densità ed un efficiente utilizzo di potenza in un fattore di formazione di piccole dimensioni e aiuta gli ingegneri di soddisfare la legislazione e la crescente necessità di ridurre le emissioni di CO2 poiché l'industria si sposta in una conversione di potenza efficiente e maggiore elettrificazione .
La tecnologia Gan supera i limiti delle tecnologie, come IGBTS e SIC basati sul silicio, nella conversione del potere, afferma Farnell. In particolare, Gan riduce le perdite di potenza che possono influire sull'intervallo di un veicolo. L'aumento dell'efficienza nella conversione di potenza riduce inoltre la necessità di sistemi di raffreddamento per dissipare il calore generato, riducendo il peso del veicolo e la complessità del sistema, il range di beneficio o la consentendo la stessa portata da una batteria più piccola. Ci sono anche applicazioni, sottolineano Farnell, per il Power Gan FET in data center, infrastrutture di telecomunicazioni e applicazioni industriali.
Farnell ospita un webinar gratuito per il registro sulla tecnologia Power Gan il 16 settembre 2020 alle 14:00 BST. Il webinar fornirà una panoramica della tecnologia dei cascate di Nexperia, i vantaggi delle topologie di commutazione dure e dei soft e includono uno studio PFC totem POLO 4KW.