Gan Fets ger låga RDS (ON) och snabbväxling, tillsammans med låg VF och låg QRR, säger Farnell, ett Avnet-företag. De är också robusta och levererar stabil omkoppling med en robust grind som studsar immunitet, vilket gör dem lämpliga för minskade strömförlustprogram i elfordon (EV), 5G-utrustning och IOT-enheter.
Distributören säger att introduktionen av sortimentet är aktuellt när FET-enheten ger densitet och effektiv strömanvändning i en liten formfaktor, och hjälper ingenjörer att uppfylla lagstiftningen och det växande behovet av att minska koldioxidutsläppen, eftersom branschen flyttas till effektiv kraftomvandling och ökad elektrifiering .
Gan-tekniken övervinner begränsningar av tekniker, såsom kiselbaserade IGBTS och SIC, i kraftomvandling, säger Farnell. I EVS i synnerhet reducerar GAN strömförluster som kan påverka ett fordon. Ökad effektivitet i kraftomvandling minskar också behovet av kylsystem för att dissipera genererad värme, vilket reducerar fordonets vikt- och systemkomplexitet, som gynnar intervallet eller möjliggör samma intervall från ett mindre batteri. Det finns också applikationer, påpekar Farnell, för Power Gan Fets i datacenter, telekominfrastruktur och industriella tillämpningar.
Farnell är värd för ett gratis-registrerat webbinarium på Power Gan-tekniken den 16 september 2020 klockan 2:00 BST. Webinariet kommer att ge en översikt över Nexperias cascode-teknik, fördelarna med hårda och mjuka växlande topologier och inkluderar en 4kW Totem Pole PFC-fallstudie.