Les FET GAN fournissent des rds bas (ON) et une commutation rapide, ainsi que de faibles VF et du QRR bas, explique Farnell, une entreprise AVNet. Ils sont également robustes et livrent une commutation stable avec une immunité de rebond de la porte accidentée, ce qui les rend adaptés aux applications de perte de puissance réduites dans les véhicules électriques (EVS), les équipements 5G et les appareils IOT.
Le distributeur dit que l'introduction de la gamme est opportune car les FET fournissent une densité et une utilisation efficace de puissance sous un faible facteur de forme, et aident les ingénieurs à respecter la législation et à la nécessité croissante de réduire les émissions de CO2 à mesure que l'industrie passe à une conversion efficace et à une électrification accrue. .
La technologie GAN surmonte les limitations des technologies, telles que des iGBTS et de la SIC à base de silicium, dans la conversion de puissance, explique Farnell. Dans l'EVS, en particulier, GAN réduit les pertes de puissance pouvant avoir une incidence sur la gamme d'un véhicule. L'efficacité accrue de la conversion d'énergie réduit également la nécessité de systèmes de refroidissement de la dissipation de la chaleur générée, de réduire la complexité du poids et du système du véhicule, au profit d'une plage ou permettant la même portée d'une batterie plus petite. Il existe également des applications, soulignent Farnell, pour les FETS Power Gan dans les centres de données, les infrastructures de télécoms et les applications industrielles.
Farnell accueille un webinaire gratuit à enregistrer sur la technologie Power Gan le 16 septembre 2020 à 14h00 BST. Le webinaire fournira un aperçu de la technologie CASCODE de Nexperia, les avantages des topologies de commutation rigoureuses et molles et incluent une étude de cas pôle PFC toxique de 4 kW.