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La gama FET Power Gan Gan de Nexperia está disponible en Farnell

Los FETS GAN proporcionan RDS bajos (ON) y conmutación rápida, junto con VF bajo y bajo QRR, dice Farnell, una compañía Avnet. También están robustados y entregan un cambio estable con una inmunidad de rebote de puerta robusta, lo que los hace adecuados para aplicaciones de pérdida de energía reducidas en vehículos eléctricos (EVS), equipo 5G e dispositivos IOT.

El distribuidor dice que la introducción del rango es oportuna a medida que los FETs proporcionan la densidad y el uso de energía eficiente en un factor de forma pequeña, y ayudan a los ingenieros a cumplir con la legislación y la creciente necesidad de reducir las emisiones de CO2 a medida que la industria se mueve a una conversión de potencia eficiente y una electrificación de mayor electrificación. .


La tecnología GAN supera las limitaciones de las tecnologías, como IGBTS y SIC a base de silicio, en la conversión de energía, dice Farnell. En EVS, en particular, GAN reduce las pérdidas de energía que pueden afectar el rango de un vehículo. El aumento de la eficiencia en la conversión de energía también reduce la necesidad de sistemas de refrigeración para disipar el calor generado, reduciendo la complejidad del peso y el sistema del vehículo, beneficiando el rango o permitiendo el mismo rango de una batería más pequeña. También hay aplicaciones, señala Farnell, para FETS POWER GAN en centros de datos, infraestructura de telecomunicaciones y aplicaciones industriales.



Farnell está organizando un seminario web gratuito para registrarse en la tecnología Power Gan el 16 de septiembre de 2020 a las 2pm BST. El webinar proporcionará una visión general de la tecnología de CASCODE de NEXPERIA, los beneficios de las topologías de conmutación duras y suaves e incluyen un estudio de caso de PFC TOTEM POLE de 4KW.