Gan Fets bieten mit niedrigem VF und niedrigem QRR mit niedrigem VF und niedrigem QRR mit niedrigem RDS (ON) und schneller, sagt Farnell, ein Avnet-Unternehmen. Sie sind auch robust und liefern ein stabiles Umschalten mit einer robusten Gate-Bounity-Immunität, wodurch sie für reduzierte Leistungsverlustanwendungen in Elektrofahrzeugen (EVS), 5G-Geräten und IOT-Geräten geeignet sind.
Der Händler sagt, dass die Einführung des Sortiments rechtzeitig ist, da die FETs die Dichte und effiziente Stromverbrauch in einem kleinen Formfaktor bereitstellen, und hilft den Ingenieuren, die Rechtsvorschriften zu erfüllen, und das wachsende Bedürfnissen, CO2-Emissionen zu reduzieren, da die Branche auf eine effiziente Leistungsumwandlung und die erhöhte Elektrifizierung bewegt .
GAN-Technologie überwindet Einschränkungen von Technologien, wie beispielsweise IGBTS und SIC auf Siliziumbasis, in der Leistungsumwandlung, sagt Farnell. Insbesondere bei EVS reduziert GAN Leistungsverluste, die den Bereich eines Fahrzeugs beeinflussen können. Eine erhöhte Effizienz in der Leistungsumwandlung verringert auch die Notwendigkeit von Kühlsystemen, um erzeugte Wärme abzuleiten, wodurch das Gewicht und die Systemkomplexität des Fahrzeugs verringert werden, wodurch der Bereich von einer kleineren Batterie profitiert werden kann oder den gleichen Bereich von einer kleineren Batterie ermöglicht wird. Es gibt auch Anwendungen, Punkte aus Farnell, für Power Gan Fets in Rechenzentren, Telekommunikationsinfrastruktur und industriellen Anwendungen.
Farnell veranstaltet am 16. September 2020 um 14. September mit einem kostenlosen Webinar auf der Power Gan-Technologie. Das Webinar bietet einen Überblick über die Cascode-Technologie von Nexperia, die Vorteile von harten und weichen Schalttopologien und umfassen eine 4-kW-Totem-POLE-PFC-Fallstudie.