ስእል 1; የ የሕክምና ማነቃቂያ መሣሪያ አግድ ንድፍ የላቁ ተግባራትን ለመደገፍ ውጫዊ ማህደረ ትውስታ በመጠቀም
የስርዓት አርክቲክቶች ለ የመጀመሪያው ፈተና ሥርዓት ልብ ሆነው ለማገልገል ቺፕ (SoC) ወይም microcontroller ላይ ትክክለኛውን ሥርዓት መለየት ነው. ይህም በተመሳሳይ አጠቃላይ ሥርዓት ኃይል በጀት መቀነስ ሳለ የሚፈለገው አፈጻጸም ማቅረብ የሚችሉ መሆን አለባቸው.
በተጨማሪም አንድ ውሱን ቅርጸት ምክንያት እና ቀልጣፋ ኃይል ፍጆታ በመደገፍ ሳለ እንደ ውጫዊ ትዝታዎች, ዳሳሾች, እና ባለቀስተ በይነገጽ እንደ መታወክ, መሣሪያዎች, የ SoC / microcontroller አፈጻጸም ጋር ተመጣጣኝ መሆን አለበት.
ትውስታ ምርጫዎች
የተመረጠው መሣሪያ በአጠቃላይ ትዝታዎች, ፍላሽ እና SRAM ሁለት አይነት ይዋሃዳል.
ፍላሽ በአንጻራዊነት ቀርፋ-ጻፍ ያልሆኑ ያልተረጋጋ ትውስታ ነው ድጋፎች እንደሆነ ጻፍ ዑደቶች የተወሰነ ቁጥር. ይህ ቋሚ ወይም እንደ መተግበሪያ ኮድ, የስርዓት መረጃ, እና / ወይም ልጥፍ-እየተሰራ የተጠቃሚ ውሂብ መዝገቦች እንደ ውሂብ የዘገየ-ተለዋዋጭ ለመያዝ ያገለግላል.
SRAM ያልተገደበ ጻፍ ዑደት ጽናትን የሚሰጥ በፍጥነት መዳረሻ, ያልተረጋጋ ትውስታ ነው. ይህ ጊዜያዊ አሂድ-ጊዜ የስርዓት ውሂብ ለማከማቸት ጥቅም ላይ ይውላል.
የስርዓት ውስብስብነት እየጨመረ እንደመሆኑ መጠን, እንዲሁ በርካታ የሂሳብ ተግባራትን እና ስልተ ኮድ ውስብስብነት ነው. የውስጥ ላይ-ቺፕ የማስታወስ አቅም በቂ ሊሆን ይችላል. ተንቀሳቃሽ የሕክምና ስርዓቶች አብዛኛውን ጊዜ ውጫዊ ማህደረ ትውስታ (ስእል 1) ጋር የውስጥ ማህደረ ትውስታ አበዛ ወደ ንድፍ ስለሚጠይቅ, ተጨማሪ ማከማቻ ያስፈልገናል.
አንድ አነስተኛ ኃይል የውጭ ማህደረ ትውስታ ራም ማስፋፊያ, በጣም አነስተኛ ንቁ እና በመጠባበቂያ የአሁኑ ጋር በተለምዶ አንድ SRAM መጠቀም ይቻላል. ያልሆኑ ያልተረጋጋ ማከማቻ አማራጮች ብልጭታ, EEPROM, MRAM, እና F-ራም ያካትታሉ.
መለያ ፍላሽ ትውስታ ምክንያት በውስጡ በዝቅተኛ ወጪ ከፍተኛ እፍጋቶችን መገኘት የማይመለስ ያልተረጋጋ ፕሮግራም እና ውሂብ ማከማቻ ማስፋፊያ የሚውል ነው. ይሁን እንጂ ባትሪ ላይ የተመሠረቱ መሣሪያዎች ስርዓተ ሕይወት ይቀንሳል ይህም በአንጻራዊነት ከፍተኛ የኃይል ፍጆታ አለው.
አንዳንድ ትግበራዎች አንድ EEPROM ጋር ትውስታ የተወሰነ ክፍል ለመተካት, ነገር ግን ይህ ክወናዎችን ወደ EEPROM ለማድረግ ሰፊ ጽፏል ያካትታል በተለይ ጊዜ, አሁንም ባትሪ ተስማሚ አይደለም. በተጨማሪም ትግበራ ኮድ ንድፍ የሚያወሳስብብን.
Magneto-resistive ራም (MRAM) ያልተገደበ ጻፍ ጽናትን አለው. በውስጡ የማቋረጥ, ይሁን እንጂ, ይህም በጣም ከፍተኛ ንቁ እና የመጠባበቂያ ሞገድ ይበላል እና ብልሹ ውሂብ የተከማቹ የሚችል መግነጢሳዊ መስኮች የተጋለጠ መሆኑን ነው. እነዚህ ባህርያት ስለዚህ በባትሪ የሚሰራ የሕክምና መሳሪያዎች ውስጥ ተገቢ ማድረግ.
(F-ራም) Ferroelectric ራም, ተንቀሳቃሽ የሕክምና መሳሪያዎች ውስጥ በርካታ ቁልፍ ጠቀሜታ ያለው ሲሆን ይህም ከፍተኛ ጻፍ-ዑደት ጽናትን አለው.
የሕክምና ችግሮች
ስእል 2; ያልሆኑ ያልተረጋጋ ትውስታ ቴክኖሎጂዎችን ለ 4Mb ጻፍ (μJ) በ የኃይል ፍጆታ
EEPROM እና ፍላሽ ያለውን ውስን ጻፍ ጽናት ሁልጊዜ መደብር ውሂብ መዝገቦች ወደ አስፈላጊነት ዘምኗል እየተደረገ መሆኑን መሆኑን የሕክምና መሣሪያዎች የሚችሉ ችግሮች ይፈጥራል. ፍላሽ ቅናሾች 1E + 5 ትዕዛዝ ላይ ጽናትና EEPROM 1E + 6 ነው. የ F-ራም ጻፍ ዑደት ጽናት 1E + 14 (ወይም 100 ትሪሊዮን) ነው. ይህ ውስብስብ wear-የተጠጋ ስልተ በላይ-ደንብ ተጨማሪ አቅም (ስእል 3) ለመተግበር ያለው ያለ ተጨማሪ ማስታወሻ ውሂብ መቻል መሣሪያዎች ያስችላቸዋል.
ሁለተኛው ጥቅም F-ራም ውስጣዊ የሕንጻ ክፍያ ላይ የተመሠረቱ ፍላሽ ወይም EEPROM ማከማቻ መሣሪያዎች (ስእል 2) ከ በሬክተር ዝቅተኛ ንቁ ኃይል ትዕዛዞች ይበላል መሆኑን ነው.
ለምሳሌ ያህል, ሳይፕረስ ድጋፍ ስታንድ, ጥልቅ ኃይል ወርዶ እና ከ Excelon F-አውራ ፈት ሞዶች ስለገባ. አንድ መተግበሪያ ወደ እነዚህ በታችኛው ንቁ ኃይል ሁነታ ጋር በጥምረት የምናዳብረው በግምት ሁለት ትዕዛዞች በ ኃይል ፍጆታ መቀነስ ይችላሉ መተግበር.
ስእል 3; ያልሆኑ ያልተረጋጋ ትውስታ ቴክኖሎጂዎችን ለ ኢንዱራንስ ዑደት ንጽጽር
EEPRAM እና ፍላሽ ተጨማሪ ገጽ-መርሃግብር / ገጽ-ፃፍ ፃፍ ፅጂዎችን ፃፍ, ስለሆነም ለመጻፍ ኦፕሬሽኖች. የ F-ram ውህደት ከባትሪ ውጭ ያልሆነ ስርዓተ ክወናዎች የኃይል አቅርቦትን / ቅጥርን ሙሉ በሙሉ እና ንቁ የአሁኑን ለመቀነስ ስርዓቱን ወደ ዝቅተኛ የኃይል ሥራ ፈትት ሁኔታ እንዲርቁ ያስችላቸዋል.
ይህ ደግሞ ኃይል በስህተት ስህተት ወቅት የተጋለጡበትን ትክክለኛ የጊዜ አወጣጥ መስፈርቶችን በሚያወጡ ትግበራዎች ውስጥ አስተማማኝነትን ያሻሽላል. የኤፍ ራም ሴሎች ኤክስ-ሬይዎችን እና ጋማ ጨረርን ጨምሮ እና ከግንቲክ መስኮች በበለጠ ከፍተኛ ታጋሽ ናቸው.
እንደ ከፍተኛ የ C-RAM መሣሪያዎች, በ 54-ቢት ውሂብ ቃል ውስጥ አንድ የ CHIP ORSES DESTARS ማስተካከያዎችን ያቅርቡ እና ወሳኝ የስርዓት ውሂቦችን የማጠራቀሚያ አስተማማኝነትን ማግኘት እና ማረም ይችላል. በተጨማሪም F-Ram በተጨማሪም የባትሪውን ከመጠን በላይ የፍጥነት ውጫዊነትን ለመከላከል ከ 1.5 ሚ.ዲ.
F-RAM በተጠያቂዎች ቆጣቢነት ውስጥ ማሸጊያ ውስጥ ሊገባ ይችላል. ለምሳሌ, እጅግ በጣም ብዙ እስከ 8bbit እስከ 8bbit ድረስ እስከ 8bmit ድረስ እና በዲስትራም ስምንት-ፒን ስምንት ፒ.ሲ.ሲ.
የ F-ራም ማለቂያ የሌለው ጽናት, ፈጣን ያልሆነ እና ዝቅተኛ የኃይል ፍጆታ የስርዓት ንድፍ አውጪዎች የዝግጅት ንድፍ አውጪዎች በአንድ ማህደረ ትውስታ ውስጥ ንድፍ እና ሮም ላይ የተመሠረተ መረጃዎችን እና ተግባሮችን እንዲያዋኑ ይፍቀዱ.
ጭምብል-ሮሜ, ኦቲፒ-ኢ.ኢ.ኢ.ፒ.ን ጨምሮ, rome- የተመሰረቱ ቴክኖሎጂዎች, ተለዋዋጭ ያልሆኑ እና በኮድ ማከማቻ መተግበሪያዎች ተኮር ናቸው.
Nand-Flash እና EEPRORRA እንዲሁ ተለዋዋጭ ያልሆነ የውሂብ ማህደረ ትውስታ ሆኖ ማገልገል ይችላል. ከተለዋጭ ትዝታዎች ጋር ሲነፃፀር ዝቅተኛ አፈፃፀም ያለው የኮድ እና የውሂብ ማከማቻዎችን ከሥራ ፈላጊነት ጋር በተያያዘ ሁሉም ሁሉንም አቋማቸውን የሚጠይቁ ናቸው.
እነዚህ ቴክኖሎጂዎች ከአጠቃቀም እና / ወይም አፈፃፀም ጋር የንግድ ሥራ በሚጠይቁ ዝቅተኛ ወጪ ላይ ያተኩራሉ.
RAM የተመሰረቱ ቴክኖሎጂዎች እንደ የውሂብ ማህደረ ትውስታ ሆነው ያገለግላሉ እንዲሁም ከ Flash ከ Flash ጋር በሚወጣው ጊዜ የኮድ አፈፃፀም የስራ ቦታ ነው. ራም የኮድ እና የውሂብ ተግባር ድብልቅን ይሰጣል, ግን ተለዋዋጭ ተፈጥሮው አጠቃቀሙን ወደ ጊዜያዊ ማከማቻ ይገድባል.
ተንቀሳቃሽ መተግበሪያዎች በተቻለ መጠን ጥቂት አካላት ውስጥ የተሻሻሉ አፈፃፀም ይፈልጋሉ.
በርካታ የማስታወሻ ዓይነቶችን በመጠቀም ወደ ውክልናዎች ሊመሩ, የተወሳሰቡ የኮድ ዲዛይን ያወዩ እና በተለምዶ የበለጠ ኃይልን ይይዛሉ.
የ F-ram ብቃት እና አስተማማኝነት ለሁለቱም የኮድዎን እና ውሂቦችን ለማስተናገድ እንዲቻል ያደርገዋል.
የስርዓት ወጪን, የስርዓት ውጤታማነት በመጨመር የስርዓት ውጤታማነትን በመጨመር የስርዓት ውጤታማነት በመጨመር የስርዓት ውስብስብነት መቀነስ.
