Figure 1: m'agiterai Block di un dispusitivu vs particulare cù memoria esterni à cuncretizà funziunalità avanzata
A prima sfide di architetti sistema hè à identificà u sistema di dirittu nantu chip (SOc) o microcontroller à servinu cum'è u core di u sistemu. It devi esse capaci di furnisce u spettaculu Bramati, mentri simultaneously riducendu bugettu putenza di u sistemu megliu.
dispusitivi perifèricu, cum'è i ricordi esterni, sensors, è interfaccia telemetry deve esse puru cu lu / curà MARIA microcontroller, mentri dinù favurendu un fattore forma fundute è a cunsumazione di a putenza efficace.
scelte memoria
U dispusitivu sceltu integrates giniralmenti dui tipi di ricordi, lampu e Sram.
Flash hè un pocu lentu-scrivere, non-mutevoli memoria chi sustegnu un numaru limitatu di ciculu scrive. Hè usatu pi tèniri fissu, o lenta-cambiendu dati com'è codice appiecu, nantu à u sistema, è / o nant'à dati me post-trasfurmazioni.
Sram hè un fast-accessu, mutevoli memoria chì accerta illimitatu resistenza routes scrive. Hè usatu pi capitari dati pruvisoriu sistemu scappu-tempu.
As aumenta sistemu cumplessità, tantu faci cumplessità codice di i puarci e funzioni matimatica e alguritmi. capacità di mimoria di-Chip interna pò esse insufficient. sistemi medicale Portable à spessu bisognu di pruvista applicàrisi, averebbenu cuncettori di aumintari memoria interna cù memoria esterni (Figure 1).
A memoria di esterni suttana putere pò esse à prò di u sviluppu RAM, realizà un Sram cun debule realità attivu è Discussione generale. Ozzione di pruvista non-mutevoli prividia lampu, set DFI, MRAM, è F-RAM.
memoria di lampu Serial veni usatu di prugrammu è a pruvista dati espansione non-mutevoli per via di u so low cost è a dispunibilità di altu densities. Tuttavia, ci hà u cunsumu pocu un'energia, chi unu arriduci la vita iavanu di i dispusitivi basatu batterie-.
Certi appiicazioni rimpiazza una parte di a mimoria cù un set DFI, ma sta ùn hè micca sempre batterie-amichevuli, specialmenti quandu opérations cuimmurciuti largu scrissi a l 'set DFI. It complicates dinù disignu codice dumanda.
Magnéto-resistive RAM (MRAM) hà illimitatu resistenza scrive. U so futuru, parò, hè chì hè consumes assai altu currenti attivu è Discussione generale, è hè sottumessi à campi magnetichi chì pò currutti dati ferà. Sti caratteri dunque fà lu in unsuitable in i dispusitivi medicale batterie-operata.
RAM Ferroelectric (F-RAM), hà parechji vantaghji chjave in i dispusitivi medicale portable Santa è hè altu resistenza scrivere-bissiclette.
Ripa Medical
Figura 2: cunsumazione Energy par 4Mb scrivere (μJ) di ticnoluggìa dâ memoria non-mutevoli
U limitata resistenza parraru di set DFI e lampu crèa putinziali Affare di i dispusitivi medicale chì bisognu à nant'à dati casi chì sò sempri à esse aghjurnata. eccu Flash Endurance nant'à l 'ordine di 1e + 5 e set DFI hè 1e + 6. The F-RAM scrivere routes resistenza hè 1e + 14 (o 100 As Roma). Stu permette à i dispusitivi à esse in gradu di Natale di più infurmazioni, senza avè à azzione alguritmi ans-leveling cumplessu e capacità di rivinuti più di-pruvista (Figura 3).
A seconda di dispone hè chì l 'architittura internu di F-RAM consumes ordini di magnitudini energia bassa attiva di i dispusitivi lampu o set DFI pruvista rispunsevule-basatu (Figura 2).
Per esempiu, Excelon F-muntoni da Cypress sustegnu Discussione generale, davanti a putenza spechju è hibernate manèri truvava. Rispettendu sti in una dumanda pò stà a cunsumazione di putere da circa dui ordini di magnitudini in cumminazzioni cu lu modu lu putiri attivu bassa.
Figura 3: paragunà routes Endurance di ticnoluggìa dâ memoria non-mutevoli
EEPROM è FLASH RICHIGGI Page-Page-Programmes-Programmes / Pagina Scrivite i tempi di u sistema crescente di u sistema attivu per l'operazioni di scrittura. A non ammulazione immediata di F-Ram permette à i sistemi operati di a bateria o di u putere di u putere o più rapidamente u sistema in un modu di putenza bassa è attuale.
Questu rinfurzà dinò l'affidabilità in l'applicazioni chì anu precisu i requisiti di timing induve i dati sò in risicu durante una culpa di putenza. F-cellule di rma sò ancu tolleranti assai di raghjone, cumprese a radia X-gamma è sò immune à i travaglii magnetiche.
Alcune dispusitivi F-RAM, cum'è Excelon LP, furnisce u codice di correzione di errore in Chip è rileva è currettu errori di dati di u numeru di dati F-Ram sustene ancu u curriculu di piccu di riassuntu (vale à dì un cuntrollu attuale di u 1,5 ma) per prevene u scaricamentu eccessivu di a bateria.
F-RAM pò esse allughjatu in imballaggio chì hè efficiente di u spaziu. Per esempiu, l'excelon LP offre finu à 8mbit è sò dispunibili in industria di ottu pin di ottu pin è di 3MHZ FI
A foricultura di F-Ram hà praticamenti infriciru infinitu è u cunsumu instantamentu permettenu di i disinni di u sistema per cumbiscenu e dati è e funzioni basate in una sola rom-.
Tecnulugia basata, cumpresa Masch-Rom, OTP-ERMOM, è spurchiu, sò non volatili è sò orientate à l'applicazioni di almacenamentu di codice.
Nand-Flash è EEPROM pò ancu serve cum'è memoria di dati micca volatile. TUTTI TUTTI NECESSITU UNA COMPROMISO, Dapoi chì realizanu dui codice è almacenamentu di dati cù basso rendiment cumparatu à i ricordi alternative.
Queste tecnulugie si focalizeghjanu nantu à u costu più bassu, chì esige un cummerciu di facilità d'usu è / o rendiment.
I tecnulugiani basati in ramenu cum'è memoria di dati è ancu un spaziu di travagliu per l'esekzione di u codice quandu esecuta da a flash prova troppu lenta. Rma furnisce una mistura di codice è funziunalità di dati, ma a so natura volatile limita u vostru utilizazione à u almacenaghjuu temporale.
L'applicazioni portatili necessanu un rendimentu ottimizatu in quantu pochi cumpunenti pussibule.
Aduprendu parechji tipi di memoria ponu purtà à inefficienze, complicate u disignu di u codice è tipicamente cunsuma più energia.
L'efficienza è l'affidabilità di F-Ram hà pussibule chì una sola tecnulugia di memoria per trattà dui codice è dati.
Hà a resistenza per sustene u logu di dati di frequenza alta mentre u costu di u sistema di diminuzione, aumentendu l'efficienza di u sistema è riduce a cumplessità di u sistema.
