I saol casta na gcomhpháirteanna leictreonacha, seasann cobhsaíocht IGBT (trasraitheoirí geata inslithe bipolar) mar bhunchloch le haghaidh iontaofacht an chórais.Léiríonn an t-alt seo croílár feiniméan lárnach laistigh de IGBTS: an éifeacht latch-up.Téann an éifeacht seo ar a cheann nuair a thrasnaítear teorainneacha - go sonrach, nuair a sháraítear an limistéar oibriúcháin sábháilte, ag scaoileadh torrent de shruth reatha.Tá fréamhacha an teagmhais seo ag teacht le chéile, ní hamháin le dearadh na sliseanna ach freisin lena ailtireacht inmheánach casta.In ainneoin na gcoinbhleachtaí ísle a bhaineann le teip suas i gcásanna fíor-dhomhanda, tá sé ríthábhachtach fós a mheicneoirí a thuiscint do dhearadh agus do chur i bhfeidhm IGBTanna.
Déanaimis dul ar thuras trí bhunstruchtúr agus prionsabail oibriúcháin IGBT.Comhleá de thréithe MOSFET agus BJT, tagann an IGBT chun cinn mar theach cumhachta leathsheoltóra.Is ionann a treoirphlean agus trasraitheoir dé-MOS atá nasctha le Darlington.Dúisíonn damhsa voltais ar aghaidh idir an geata agus an t-astaire an trasraitheoir MOS, ag réiteach cosáin ísealfhriotaíochta trí bhonn agus bailitheoir an trasraitheora PNP.Admhaíonn an gníomh seo an trasraitheoir PNP.Téann an plota chun cinn de réir mar a théann an voltas geata i léig nó nuair a aisiompaíonn sé, ag múchadh an trasraitheora MOS agus ag scaradh bonn an trasraitheora PNP - dá bhrí sin, an IGBT DIMS.Tá IGBTanna, a mholtar as a gcumas rialaithe voltais, uileláithreach i leictreonaic chumhachta.
Tá an éifeacht latch-up, scéal faoi chastacht inmheánach, ceangailte le ciorcad coibhéiseach iarbhír an IGBT.Tá eilimintí seadánacha i bhfolach laistigh de, mar shampla tyristors ceilte.Tá an iomarca bailitheora ag an sruth reatha sa saol sna comhpháirteanna seo, rud a spreagann an trasraitheoir NPN.Leagann an t-imeacht seo as imoibriú slabhrúil, sáithíonn sé trasraitheoirí NPN agus PNP araon agus dúisíonn sé an tyristor seadánach isteach i nglas féinchothabhálach-an latch-up.Déanann an cás seo an sruth bailitheora a chatapú, as a dtagann maelstrom de thomhaltas cumhachta agus, ar deireadh thiar, meath ar fheistí.
Taobh amuigh den réimse statach, tugann an éifeacht dinimiciúil latch-suas aird.Le linn na n-uafás tapaidh, scaoiltear díláithriú i rith an titim dheas agus ard DV/DT reatha.Féadfaidh an t -idir -fhritháireamh seo, ag cúrsáil trí fhriotaíocht leathnaithe an réigiúin choirp RS, an trasraitheoir NPN a chasadh.Dá bhrí sin leathnaíonn sé saga féin-ghlasála dinimiciúil, rud a fhágann go bhfuil teip na bhfeiste ag méadú.
Chun dul i ngleic leis an éifeacht latch-suas, tá cur chuige ilphróiseáilte ríthábhachtach.Ar an gcéad dul síos, ní mór dúinn struchtúir IGBT a innealtóireacht atá frithsheasmhach in aghaidh na héifeachta seo, b'fhéidir trí RS Friotaíocht Síneadh Réigiún an Chomhlachta a íoslaghdú.Ina dhiaidh sin, tá sé ríthábhachtach rialú a dhéanamh ar HFE an trasraitheora PNP trí chalabrú cúramach tiús agus dópáil an tsraith N-Buffer.Ar deireadh, is féidir linn HFE an trasraitheora PNP a thapú le teicnící laghdaithe saoil.
Mar fhocal scoir, is é an limistéar oibre sábháilte sÚil Achilles IGBT;Iarrann Straying Beyond contúirt.Ón tús go dtí an táirge deiridh, tá gach céim i ndéantúsaíocht IGBT odyssey ríthábhachtach chun comhpháirteanna barr-notch a bhaint, atá curtha in oiriúint do riachtanais éagsúla.Tríd na hidirghabhálacha casta laistigh de IGBTanna a nochtadh, díghlasálaimid an poitéinseal a ndearadh agus a n -úsáid a bheachtú, a bheith ag cur le spleáchas agus ar éifeachtúlacht an chórais.