Di vekolîna deryaya elektronîkên nûjen de, em pir caran bi mînakan re rû bi rû dimînin û dibe ku prensîbên tevlihev xuya bikin lê veşêrin.Di van demên dawî de, ez li ser forûmek elektronîk a naskirî dozek weha rû da.Netizen tevliheviya xwe parve kir: Wî avakirina rêgezek bingehîn a tridee ya bingehîn çêkiriye ku nîşan bide, lê encam ne wekî bendewar bû.Her çend ev pirsgirêk li ser rûyê erdê hêsan xuya dike, ew bi rastî prensîbên elektronîkî yên kûr hene.
Danasîna pirsgirêkê û danûstendina civakê:
Circuit ku ji hêla vê Netizen ve hatî destnîşankirin pir bingehîn e û tridee bikar tîne da ku wê derxe.Armanca orîjînal ev e ku bigihîje berevajî ya îşaretê.Lêbelê, wî dît ku weya derketinê wekî ku hêvî nedikir, ku sedema tevliheviya wî bû.Parzûna bingehîn a cardeyê, tridee, bi frekansek domdar heya 100mhz heye, dema ku frekansa pulsê di qada wî de tenê 1mhz e.Li ser forûmê, tevliheviya wî nîqaş û texmînên berfireh kir.Hin kes guman ji rastiya tridee guman kir, yên din pêşniyar kirin ku nirxa berxwedanê bipejirînin, û yên din jî texmîn kirin ku leza guhêrbar kêm e.
Pêşniyara çareseriyê û verastkirinê:
Di vê nîqaşê de, Netizenek Tecrûbek (ID: LW2012) çareseriyek teşwîq kir: Kapasîteya 100NF bi paralel bi R1 ve girêdide.Bi surprîz, dema ku poster vê pêşniyarê bicîh anî, pirsgirêk bi bandor hate çareser kirin.Ev doz ne tenê tenê arîkariya hevbeş di nav entegreyên elektronîkî de nîşan dide, lê di heman demê de nirxa serlêdana pratîkî ya têgeha "bilezkirina kapasîteya bilez" diyar dike.
Analîzên di kûrahiyê de: Bandora hilanînê ya barkirinê û rola kapasîteya bilez:
Piştre, me bi hûrgulî vê dozê analîz bikin.Di navbera bingeha tridee de, ji ber bandora hilanîna barkirinê, kapasîteyek navxweyî heye.Ev capacitor û berxwedana bingehîn RB bi hev re qralek RC ava dikin, û wextê wê berdewam dike li ser leza zivir û zivirînê ya transistor bandor dike, ew e, ew li ser leza guhastinê bandor dike.Zêdebûna kapasîteyên bilez vê pêvajoyê xweş dike.
Fonksiyonên taybetî yên kapasîteyên bilez:
Dema ku pulseya kontrolê di astek nizm de ye, qêrik digihîje rewşek domdar û transistor zivirî.Di vê demê de, voltaja li seranserê kapasîteyê zero ye.Dema ku asta pulse pileya bilind tê, ji ber ku voltaja kapasîteyê nekare dorpêç bike, pêdivî ye ku kapasîteyê berdewam bike da ku voltaja zero bidomîne.Di vê demê de, voltaja bingehîn a transistor bi lez û bez dihêle ku transistor zûtir bibe.Dûv re kapasîteyê ji voltaja asta pulse re tê tawanbar kirin, têkevin Dewleta Steady.
Analîziya Dînamîkî ya Dînamîkî:
Analîzkirina vê pêvajoyê bêtir, em dikarin bibînin ku ew kapasîteyan di qonaxê de rolek sereke dileyzin.Dema ku voltaja input ji 0V-ê ji asta bilind ve diçe, voltaja li ser bingeha vt1-ê ye, dibe sedema ku hûn bi zûtirîn vt1 zêde bibin, bi vî rengî transistor jiDewleta qutkirî di rewşa saturation de.gûhertinî.Di pêvajoya domandina pejirandinê de, barkirina kapasîteyê zû zû bi dawî dibe, domandina rewşa ragihandina saturated a transistor.Dema ku voltaja nîşana input ji asta bilind heya 0V-ê diqewime, dibe sedema ku voltaja bingehîn a VT1-ê bibe neyînî, ku leza veguherînê ji dewleta saturation ji dewleta cut-off re bilezîne.
di encam de:
Bi vê mijarê, em ne tenê pirsgirêkek diyarkirî ya taybetî çareser kirin,Ev ne tenê pratîkek serfiraziyê di elektronîkan de ye, lê di heman demê de mînakek hevkariya civakê ye.Bi parvekirina zanîn û ezmûnê, em dikarin têgihîştinek kûr a ku ji bo teknolojiya elektronîkî û teknolojiya pêşdetir kar dikin.